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iMt廣州南創(chuàng)電子科技有限公司惠斯通電橋電路（現(xiàn)在用于測量支撐結(jié)構(gòu)表面的應(yīng)變）由查爾斯·惠斯通爵士于1843年改進(jìn)和推廣，這是眾所周知的，但薄膜真空沉積在這個(gè)舊的久經(jīng)考驗(yàn)的電路中的應(yīng)用還不是很好理解。薄膜濺射沉積工藝對行業(yè)來說并不是什么新鮮事。Transcell傳感器FAY-300kg從制造復(fù)雜的微處理器到制造用于應(yīng)變片的精密電阻器，許多應(yīng)用都使用這種技術(shù)。對于應(yīng)變片，直接濺射到受力基板上的薄膜應(yīng)變片是一種選擇，可以消除“粘合應(yīng)變片”（也稱為箔應(yīng)變片，靜置應(yīng)變片和硅應(yīng)變片）面臨的許多問題。
iMt廣州南創(chuàng)電子科技有限公司FAY-1000kg稱重傳感器Transcell的過載保護(hù)是什么意思？
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